能生产3nm！中科院成功研发全固态DUV光源技术：完全不同于ASML
摘要:
中科院成功研发全固态DUV光源技术，该技术能够生产高精度的3nm芯片制造所需的光源，这一技术不同于ASML的光源技术，具有更高的自主性和创新性，全固态DUV光源技术的成功研发将有望提高国内芯片制造产业的竞争力，推动科技创新和产业升级。
中科院成功研发全固态DUV光源技术，该技术能够生产高精度的3nm芯片制造所需的光源，这一技术不同于ASML的光源技术，具有更高的自主性和创新性，全固态DUV光源技术的成功研发将有望提高国内芯片制造产业的竞争力，推动科技创新和产业升级。
中科院成功研发全固态深紫外光源技术，引领半导体工艺新篇章
中国科学院成功研发出突破性的全固态深紫外（DUV）激光技术，该技术能够发射相干性极强的193nm光源，为半导体工艺带来革命性的突破，这一技术的成功研发，标志着我国在半导体领域取得了重大进展，有望将半导体工艺推进至3nm节点。
与传统的ASML技术不同,中科院的固态DUV激光技术基于全新的固态设计，完全摆脱了对于稀有气体的依赖，通过自制的Yb:YAG晶体放大器，该技术能够生成1030nm的激光，经过特殊的光学路径转换，最终生成193nm波长的激光光束，这一技术的光谱纯度与现有的商用准分子激光系统相当。
尽管目前这种全固态DUV光源技术在输出功率和频率方面还低于ASML的技术,但其在光谱纯度上已经与之相当，并已经引起了国际光电工程学会（SPIE）的广泛关注，中科院的这一重要突破为未来的研究和开发指明了方向，尤其是在降低光刻系统的复杂度、体积和能耗方面展现出巨大潜力。
我们也应看到,这项技术仍然需要继续迭代和提升，其输出功率仅为ASML技术的约0.7%，频率也稍逊于ASML的2/3，尽管如此，这无疑是科技进步的一大飞跃，也为未来的研究和开发奠定了坚实的基础，我们有理由相信并期待这一技术在未来能够取得更大的进展，为半导体工艺的发展做出更大的贡献，它不仅将推动我国芯片制造产业的竞争力提升，还将推动科技创新和产业升级，随着持续的研发投入和技术创新，全固态DUV光源技术将在半导体领域发挥更加重要的作用。
