俄罗斯成功研发首台光刻机进军技术新时代，明年进军至130nm技术时代

俄罗斯成功研发出首台光刻机，其精度达到350nm，标志着该国在半导体制造领域取得了重大进展，预计明年，俄罗斯将进一步进军到更先进的130nm技术时代，这一成就对于全球半导体行业来说具有重要影响，有望改变全球半导体市场的格局和竞争态势。

俄罗斯成功研发出第一台自主光刻机，这一技术突破具有重大意义，光刻机的精度达到了350nm，标志着俄罗斯在半导体产业上的重大进展，莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁宣布,这一成果来自莫斯科的泽列诺格勒纳米中心。

俄罗斯还计划在未来一年内完成更先进的130nm光刻机的研发工作，这一进展有望推动俄罗斯自主制造能力的提升，对本土半导体产业发展具有重要意义，俄罗斯多家工厂共同承担了这一任务,展示了国家在半导体领域的集体努力。

这台光刻机采用固体激光器作为光源，具有功率大、能效高、寿命长以及光谱集中的优势，其工作区域面积达到了22x22毫米，最大可制造200mm直径的晶圆,在制造领域具有广泛的应用潜力。

值得注意的是，我国中科院也在光刻机领域取得了重要进展，研发的DUV激光光源技术完全基于固态设计，有望推进至3nm节点，尽管350nm工艺看似较为落后，但实际上仍能满足汽车、能源、通信等领域的部分需求，而俄罗斯正在积极推进65nm工艺制造技术的国产化,并为未来的130nm光刻机研发做着积极准备。

这一技术的突破不仅展示了俄罗斯在半导体领域的实力，也为其在国际舞台上赢得了一席之地，随着技术的不断进步，俄罗斯有望在全球半导体市场上扮演更加重要的角色,这一里程碑式的成就预示着俄罗斯微电子国产化道路上的更多可能性和未来技术独立的实现。