复旦大学研发超高速闪存技术，重塑未来电脑内存概念，存储速度实现颠覆性突破

复旦大学成功研发出超高速闪存技术，打破了存储速度极限，有望重塑未来电脑内存概念，这一创新成果将极大提升数据存储速度，推动计算机科技的进步，该技术可能会对计算机行业产生深远影响，为未来的计算机性能提升开辟新的道路。

复旦大学成功研发出超高速闪存，刷新了史上最快的存储速度记录，这一前沿技术将彻底改变未来电脑的存储概念，不再区分内外存之分，该闪存的研发对计算机领域发展具有划时代的意义，将极大提升数据存储和处理速度，推动计算机科技的进步。 根据电脑知识网的报道，复旦大学于4月17日在集成电路领域取得了重大突破，这是继二维半导体芯片之后的又一关键进展，距离上一次宣布仅过去两周，研究团队由周鹏和刘春森领衔，他们通过构建准二维泊松模型，成功预测了超注入现象，并研制出了名为“破晓（PoX）”的皮秒闪存器件。 这项创新技术的核心在于其惊人的擦写速度，已提升至亚1纳秒（400皮秒）的水平，这意味着它每秒可以执行高达25亿次操作，性能超越了当前世界最快的易失性存储SRAM技术，相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题，已在《自然》期刊上发表。 更让人振奋的是，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，一旦实现规模化集成，它有望彻底改变现有的存储器架构，未来的个人电脑将不再需要区分内存和外存的概念，无需分层存储，为实现AI大模型的本地部署提供了可能。 研究团队已经成功将“破晓”与CMOS结合，制造出Kb级的芯片并流片成功，接下来的目标是计划在3到5年内将其集成到几十兆的水平，并考虑授权给企业以进行产业化生产。 这一突破性技术不仅为半导体行业注入了新的活力，更为未来的计算技术指明了方向，我们热切期待这一创新能早日走进我们的生活，为我们带来更快、更便捷的计算体验。 随着这一技术的不断发展和完善，我们有望在未来看到更多基于超高速闪存的电子产品问世，从而推动整个科技行业的进步，让我们共同期待这一技术的更多潜力被挖掘出来,为人类创造更美好的未来。