Intel新技术展现强劲实力，速度提升25%、功耗降低36%，挑战台积电权威

Intel的18A工艺细节曝光，展现出强大的竞争力，速度提升25%，功耗降低36%，与台积电展开激烈竞争，这一进步显示Intel在半导体领域的持续创新和发展势头，未来值得期待。

电脑知识网报道，英特尔在最近的VLSI研讨会上公布了更多关于其最新Intel 18A制程技术的细节,这一技术展示了令人瞩目的成果。

最新资料显示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）库，具备全面的技术设计功能以及增强设计易用性，在性能、功耗、面积（PPA）的综合比较中，Intel 18A展现了显著的优势，特别是在标准Arm核心架构的芯片上，该制程技术在仅1.1V的电压下，实现了高达25%的速度提升和36%的功耗降低。

Intel 18A的面积利用率相较于Intel 3更高，这预示着该制程技术在面积效率和设计密度方面具有更大的潜力，值得一提的是，Intel 18A采用了创新的RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术，能够实现电流的精确控制，它还率先引入了业界首创的PowerVia背面供电技术,使得电力传输更加稳定。

英特尔的展示中还包括电压下降图，展示了高性能条件下节点的稳定性，通过PowerVia供电技术，Intel 18A制程提供了更为稳定的电力供应，从而确保了节点在高性能条件下的稳定运行，值得一提的是，背面供电技术使得英特尔能够实现更紧密的单元封装，从而提高面积效率，这是因为相较于传统的正面布线,背面供电技术释放了更多的空间。

目前披露的信息显示，如果生产良率达标，Intel 18A制程有望成为台积电2nm制程的有力竞争对手，市场预计，这一技术将首先应用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU，预计最早在2026年，我们将看到搭载Intel 18A技术的终端产品问世。

以下是中心放置的图片： （图片说明：要与台积电一较高下！Intel 18A更多细节曝光：速度提升25%、功耗降低36%） （图片链接：https://www.richonlighting.com/zb_users/upload/2025/04/20250421150148174521890868101.jpg） （图片尺寸：高480px，宽600px） （图片边框：黑色1像素实线）