Intel 18A技术革新，RibbonFET与PowerVia组合驱动芯片性能飞跃提升

Intel推出最新的18A技术革新，通过创新的RibbonFET和PowerVia组合技术，显著提升了芯片性能，这一技术突破有望为半导体行业带来重大变革，进一步提升电子设备性能和应用体验。

在全球数字化浪潮的推动下,半导体产业已成为现代科技发展的核心基石，据国际数据公司（IDC）发布的《全球半导体技术供应链情报报告》显示，未来几年，人工智能（AI）高性能计算（HPC）的需求将持续激增，预计到2025年，全球半导体市场将增长超过15%，从智能手机到数据中心，从物联网到边缘计算，每个领域都在追求更高的性能和更低的功耗，为了满足这一日益增长的算力需求，包括英特尔在内的各大芯片制造商都在寻求制程技术的重大突破。

英特尔的18A双重引擎技术,通过结合RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，旨在大幅度提升芯片性能，这一技术的出现，让英特尔重新站在技术创新的前沿。

RibbonFET全环绕栅极晶体管技术,是应对芯片密度不断提升、漏电问题导致的发热现象的有效解决方案，该技术采用全环绕栅极（GAA）架构和垂直堆叠的带状沟道，提高了晶体管的密度和能效，实现了电流的精准控制，RibbonFET还提高了每瓦性能、最小电压（Vmin）操作和静电性能，为芯片设计带来了更高的灵活性。

而PowerVia背面供电技术的引入,则是为了解决晶体管进一步微缩的难题，通过将粗间距金属层和凸块移至芯片背面，并在每个标准单元中嵌入纳米级硅通孔（nano-TSV），该技术大大提高了供电效率，实现了ISO功耗效能最高提升4%，并提升了标准单元利用率5%至10%。

在两大核心技术的支持下,Intel 18A将实现芯片性能、密度和能效的飞跃式提升，与Intel 3相比，Intel 18A的每瓦性能预计提升15%，芯片密度预计提升30%，这一巨大的技术突破不仅为英特尔自身的产品提供了强大的性能支持，更为医疗影像诊断、智能交通的精准调度、图像信号处理、视频和AI视觉等领域提供了坚实的技术基础。

值得一提的是,基于Intel 18A的首款产品Panther Lake计划在2025年下半年发布，凭借这一创新技术及未来更多的技术突破，英特尔将持续推动可持续的算力增长，满足客户及合作伙伴多样化的需求，英特尔的这次技术革新不仅彰显了其在半导体领域的领先地位，更为整个科技产业的发展注入了新的活力，随着技术的不断进步，我们期待英特尔在未来能够继续引领半导体产业的创新和发展，为全球用户提供更优质的产品和服务。